近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設備，項目負責人透露，計劃今年建成投產。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設現場三期擴產與未來目標長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領域的龍頭企業，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司成立，注冊資本達207.2億元?——?由長江存儲持股5
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長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
存儲器缺貨嚴峻持續擴大，供應鏈傳出，隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務器市場，導致消費性、汽車市場等將首當其沖，國內NAND Flash領導大廠長江存儲傳將被賦予關鍵的維穩大任，優先支持中國特定產業與應用，確保內需供應鏈穩定，以避免發生斷供、企業裁員的惡性沖擊。供應鏈人士也透露，長江存儲已不滿足于僅作為3D NAND的中國領頭羊，近來低調切入DRAM與高帶寬記憶體（HBM）技術領域，日前更已完成LPDDR5工程樣品開發，預計2026年下半啟動的武漢三期新廠，近期已經封頂，并將以DRAM為擴產重心。 隨著在產
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閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據閃存市場 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨特的技術特性，在工業、汽車等專業領域占據一席之地。作為非易失閃存的兩大核心技術路徑之一，NOR Flash 歷經數十年發展，在物聯網、汽車電子、AI 服務器等新興場景的驅動下，正從「小眾利基市場」邁向「高成長賽道」。而在這一浪潮中，本土 MCU 企業的布局尤為關鍵。以中微半導為代表的本土企業，正憑借 MC
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NOR Flash
全球存儲器市場爆發缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產能，原定于2027年量產的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產。 此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯等帶來競爭壓力，后續發展備受市場關注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預估須待2027年才具備正式量產條件。 然而，當地半導體業界人士透露，長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產設備采購訂單，并同步進行工廠啟動與產
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美光新加坡工廠預計將于 2028 年下半年投產晶圓。
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美光 NAND
隨著全球人工智能浪潮推動資料中心硬體需求激增，美國，存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達240億美元，用于建設一座全新的先進半導體制造工廠，以擴大其NAND Flash的生產能力，預計將于2028年下半年投產。據了解，美光科技此次宣布在新加坡建設的新工廠選址位于美光在兀蘭（Woodlands）現有的制造園區內，240億美元的投資額將在未來10年內分階段完成，預計將新增70萬平方英尺的無塵室（cleanroom）空間，并聚焦NAND Flash芯片的生產。值得一提
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美光科技 NAND 晶圓廠
三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調超過100%，目前客戶已收到通知。據行業知情人士透露，三星去年底已經完成了與主要客戶的供應合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業級的NAND價格上調100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續。市場研究機構TrendForce的數據顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
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援引市場研究機構Omdia的最新調研成果披露，合計占全球NAND產能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應的短缺。三星產量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進，產能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達等公司引領的推理人工智能（AI）領域競爭日益激烈的背景下，作為關鍵組件的NAND閃存供應緊張，增加了包括服務器、個人電腦和移動設備在內的所有領域價格持續上漲的可能性。分析師預測，這將對三星電子和SK海力士的
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1月19日，中微半導發布了一則自愿性公告，宣布即將推出其首款非易失性存儲器芯片，正式進入Flash領域。這一產品型號為CMS25Q40A，是一款容量為4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。該芯片的存儲陣列被劃分為2048個可編程頁，每頁容量為256字節，單次編程操作最多可寫入256字節數據。它支持多種擦除方式，包括1KB扇區擦除、4KB扇區擦除、32KB塊擦除、64KB塊擦除及整片擦除。其核心特點包括低成本、低功耗、SPI高速讀寫以及掉電不丟失等。性能參數方面，CMS25Q40A采用1.65
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1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發售價與前代持平，但在高存儲容量版本上，消費者將面臨比以往更大的價格漲幅。Freedom Capital Markets 技術研究主管 Paul Meeks 分析認為，全球科技企業對 AI 算力的狂熱需求，導致內存市場供不應求，這種短缺狀態預計將至少持續兩年。即便蘋果擁有強大的供應鏈議價能力，也難以完全消化這部分上漲的物料清
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中國芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱是全球第二大SPI NOR閃存供應商，于1月13日首次進入香港市場。據EE Times China報道，該公司在IPO中發行了2892萬股H股。此次發行價格為每股162港元，據報道籌集資金高達46.84億港元（約合6億美元）。值得一提的是，新浪引用 chidu.com 強調，GigaDevice既是國內DRAM巨頭CXMT的股東，也是其姊妹公司，兩家公司均由同一位企業家朱怡明創立。正如36Kr之前報道，2022年至2024年間，GigaDevice累
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根據TrendForce最新的記憶現貨價格趨勢報告，關于DRAM的現貨價格持續日復一日上漲，盡管交易依然低迷，供應商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在NAND，盡管一些買家采取了觀望態度，現貨交易者對未來價格趨勢持樂觀態度，卻拒絕降價以刺激銷售。詳情如下：DRAM現貨價格：受強勁的合約價格上漲推動，現貨價格連續日漲。然而，由于供應商和交易商不愿釋放庫存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現貨價格已從上
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上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經成功地將密度提高到行業相同的水平，實現了最高的垂直柵密度，也是現階段商業產品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據TrendForce報道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術。三星的目標是在2025年下半年開始量產第10代V-NAND閃存，預計總層數達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協議的談判。
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存儲巨頭在NAND容量擴展上謹慎行事，逐步淘汰MLC（多級單元）等老產品，同時加倍投入先進技術。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會上，SK海力士發布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統PLC（五級單元）快達20×，Blocks & Files報道。據報道，SK海力士的多點小區（MSC）NAND技術將每個3D NAND小區一分為二，提升每個小區的數據容量，同時將電壓狀態數量減少約三分之二。Blocks & Files指出，這一突破展示了SK海力士自2022年起開發
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進入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價保持穩定，基本不受存儲周期性波動影響。同時，市場需求正日益轉向適用于汽車、工業及真無線耳機（TWS）等領域的更高密度SPI NOR產品。更大的固件容量、無線升級（OTA）需求以及邊緣AI的集成，共同推動了高密度NOR Flash設備的采用，尤其是從128Mb向256Mb及以上容量的升級。盡管出貨量趨于平穩，但產品密度的提升、漫長的認證周期以及向55-40納米工藝穩定遷移，將持續驅動其價值增長。得益于供需結構的穩定，NOR F
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